"금속막으로 반도체 찌꺼기 잡아…성능 10배 향상"

국내 연구팀이 2차원 반도체를 금속막으로 보호해 트랜지스터 소자의 전류 성능을 10배 높이는 공정을 개발했습니다.

울산과학기술원 연구팀은 '이황화몰리브덴' 소재 위에 오염을 대신 받아낼 희생 금속막을 먼저 입힌 뒤, 그 위에서 회로 제작 공정을 진행하는 방식을 개발했습니다.

공정이 끝나 금속막을 녹여내면 그 위에 붙은 고분자 물질인 '포토레지스트' 찌꺼기도 함께 제거할 수 있습니다.

연구팀은 이 공정으로 제작한 '이황화몰리브덴' 트랜지스터의 전류가 약 10배 증가했다고 밝혔습니다.

'이황화몰리브덴'은 반도체 소자를 더 작고 얇게 만들 수 있어 차세대 메모리 소재로 주목받고 있지만, 회로를 만드는 과정에서 '포토레지스트'가 표면에 찌꺼기로 남는 한계가 있었습니다.


YTN 사이언스 김은별 (kimeb0124@ytn.co.kr)